Diodes Incorporated DMN52D0UVA N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET
Der DMN52D0UVA N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus von Diodes Incorporated ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der zur Minimierung von RDS (ON) und zur Aufrechterhaltung einer beeindruckenden Schaltleistung entwickelt wurde. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Eingangskapazität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit, eine geringe Eingangs-/Ausgangskriechverlust und ein sehr kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage aus. Der DMN52D0UVA MOSFET ist ESD-geschützt, bleifrei, RoHS-konform sowie halogen- und antimonfrei. Dieser MOSFET bietet eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Anwendungen sind Batteriemanagementsysteme, Leistungsmanagementfunktionen und Lastschalter.
Merkmale
- Dualer N-Kanal-MOSFET
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Gate-Schwellenspannung (max. 1 V)
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangskriechverlust
- Extrem kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage
- ESD-geschützt
- Bleifrei
- RoHs-konform
- Halogen- und antimonfrei
Technische Daten
- 50 VDSS Drain-Source-Spannung
- ±12 VGSS Gate-Source-Spannung
- 1,2 A gepulster Drainstrom
- 480mA maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Body-Diode
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
- 47,8 Ω Gate-Widerstand
- Gehäuse:
- SOT563
- UL-Entflammbarkeitseinstufung 94V-0
- Gewicht:
- 0,006 Gramm
Applikationen
- Batteriemanagement-Systeme
- Leistungsmanagementsfunktionen
- Lastschalter
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-27
| Aktualisiert: 2023-01-09