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Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET

Der N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET DMTH15H017LPSWQ von Diodes Incorporated wurde entwickelt, umRDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung zu erzielen. Dieser MOSFET zeichnet sich durch einen hohen Umwandlungswirkungsgrad und einen 100%igen UIS-Test (Unclamped Inductive Switching) in der Produktion aus, wodurch eine zuverlässige und robuste Endanwendung gewährleistet wird. Der DMTH15H017LPSWQ-MOSFET bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine geringe Eingangskapazität. Dieser MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und PPAP geeignet (Production Part Approval Process). Typische Anwendung für synchrone Gleichrichtung, das Schalten von Leistungen und Audioverstärker der Klasse D.

Merkmale

  • Geeignet für bis zu 175 °C:
    • Ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen
  • Hoher Wirkungsgrad
  • AEC-Q101 zertifiziert
  • PPAP geeignet
  • NiedrigerRDS(ON):
    • Minimiert Durchlassverluste
  • 100 % UIS-Test in der Produktion:
    • Gewährleistet eine zuverlässigere und robustere Endanwendung
  • <1,1 mm Gehäuseprofil:
    • Ideal für schlanke Anwendungen
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Bleifreie Ausführung
  • RoHs-konform
  • Frei von Halogenen und Antimonen

Technische Daten

  • 150 VDSS-Drain-Source-Spannung
  • ±20VGSS Gate-Source-Spannung
  • 200 A gepulster Drainstrom
  • 50 A maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Körperdiode
  • Betriebstemperaturbereich: –55 °C bis 175 °C
  • Gehäuse:
    • PowerDI5060-8
  • UL-Entflammbarkeitseinstufung 94V-0
  • Gewicht:
    • 0,09 Gramm

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
  • Schaltleistung
  • Audioverstärker der Klasse D

Abmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N-Kanal Enhancement-Modus MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-27 | Aktualisiert: 2023-01-18