Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Der Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedrigem RDS(ON), der minimale Durchlassverluste gewährleistet. Dieser MOSFET verfügt über ein ausgezeichnetes QGD ×RDS(ON) -Produkt (FOM) und eine benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion. Der DMTH46M7SFVWQ MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und PPAP-fähig (Production Part Approval Process, PPAP). Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerungen, Leistungsmanagementfunktionen und DC/DC-Wandler.
Merkmale
- Für 175 °C eingestuft, ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen
- Hervorragendes QGD ×RDS(ON) -Produkt (FOM)
- Niedriger RDS(ON) gewährleistet, dass Durchlassverluste reduziert werden
- Der 100 % UIS-Test (Unclamped Inductive Switching, UIS) in der Produktion gewährleistet eine zuverlässigere und robustere Endanwendung
- AEC-Q101-qualifiziert
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Bleifrei
- RoHS-konform
- Halogen- und antimonfrei
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 40 V DSS
- Gate-Quellenspannung: ±20 V GSS
- Gepulster Drainstrom: 260 A
- Maximaler ununterbrochener Durchlassstrom der Body-Diode: 65 A
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- PowerDI®-3333-8-Gehäuse
- UL-Entflammbarkeitsstufe: 94V-0
- Gewicht: 0,072 Gramm
Applikationen
- Motorsteuerung
- Leistungsmanagementfunktionen
- DC/DC-Wandler
Abmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-25
| Aktualisiert: 2024-03-06