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Diodes Incorporated Bipolartransistoren DXTN/P 78Q & 80Q

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q und 80Q Bipolartransistoren bieten 30 V, 60 V und 100 V Nennwerte, liefern eine außergewöhnliche Leitfähigkeit und thermische Leistung für anspruchsvolle Schalt- und -Steuerungsanwendungen in der Fahrzeugindustrie. Die ultraniedrigen VCE(SAT) NPN- und PNP- Bipolartransistoren eignen sich ideal für 12 V, 24 V und 48 V-Systeme und unterstützen Applikationen wie z. B. MOSFET und IGBT GATE Lastschaltung, LDO Regelung, DC/DC -Wandlung und Motor-/Aktuator -Steuerung.

Die Bipolartransistoren DXTN/P 78Q und 80Q von Diodes Inc sind für +175 °C ausgelegt und zeichnen sich durch eine hohe ESD-Robustheit (HBM 4 kV, CDM 1 kV) aus, wodurch ein zuverlässiger Betrieb auch unter rauen Bedingungen gewährleistet wird. Das kompakte PowerDI® 3333-8 Gehäuse (3,3 mm x 3,3 mm) reduziert den PCB Footprint um bis zu 75 % gegenüber dem SOT223 und liefert einen extrem niedrigen thermischen Widerstand (4,2°C/W).

Die Side Wall Plateable (SWP)-Technologie erhöht die Sichtbarkeit bei der automatischen optischen Inspektion (AOI) und die Festigkeit der Lötstellen und ermöglicht so eine effiziente und zuverlässige Fertigung. Die DXTN/P 78Q und 80Q Transistoren zeichnen sich durch einen BVCEO von bis zu 100 V einen Dauerstrom von 10 A (20 A Spitze) und eine Sättigungsspannung von nur 17 mV aus, Spannung die Leitungsverluste um bis zu 50 % minimiert und kühlere, effizientere Designs ermöglicht.

Merkmale

  • Überragender Wirkungsgrad
  • Kompaktes Paket mit hoher thermischer Leistung
  • Breiter Anwendungsbereich
  • Verbesserte Fertigung und Qualitätssicherung
  • Automobilkonforme Zuverlässigkeit

Applikationen

  • MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber
  • Last Schalter
  • Lineare Spannungsregelung
  • DC/DC Wandler
  • Motoren, Solenoide, Relais und Aktuator-Steuerung

Zugeordnete Transistoren

Diodes Incorporated DXTN80x NPN-Bipolartransistoren

Bietet ein kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8 Gehäuse für Produkte mit höherer Dichte.

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PNP- Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI 3333-8-Gehäuse.

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Typische Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - Diodes Incorporated Bipolartransistoren DXTN/P 78Q & 80Q
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Teilnummer Datenblatt Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Kollektorgleichstrom Bandbreitengewinnungsprodukt fT
DXTN78030DFGQ-7 DXTN78030DFGQ-7 Datenblatt 30 V 9 A 260 MHz
DXTN78060DFGQ-7 DXTN78060DFGQ-7 Datenblatt 60 V 6 A 250 MHz
DXTN78100CFGQ-7 DXTN78100CFGQ-7 Datenblatt 100 V 4 A 210 MHz
DXTN80030DFGQ-7 DXTN80030DFGQ-7 Datenblatt 30 V 10 A 130 MHz
DXTN80060DFGQ-7 DXTN80060DFGQ-7 Datenblatt 60 V 6.5 A 140 MHz
DXTN80100CFGQ-7 DXTN80100CFGQ-7 Datenblatt 100 V 5.5 A 125 MHz
DXTP78030DFGQ-7 DXTP78030DFGQ-7 Datenblatt 30 V - 6.5 A 315 MHz
DXTP78060DFGQ-7 DXTP78060DFGQ-7 Datenblatt 60 V - 4.5 A 320 MHz
DXTP78100CFGQ-7 DXTP78100CFGQ-7 Datenblatt 100 V - 2.5 A 290 MHz
DXTP80030DFGQ-7 DXTP80030DFGQ-7 Datenblatt 30 V - 7.5 A 190 MHz
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-10 | Aktualisiert: 2026-02-16