Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren

CoolGaN™ G3 Transistoren von Infineon Technologies sind für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand aus, was eine effiziente Leistungsumwandlung und reduzierte Energieverluste ermöglicht. Die CoolGaN G3 Transistoren von Infineon sind in vier Spannungsoptionen (60 V, 80 V, 100 V oder 120 V) erhältlich und ermöglichen ein extrem schnelles Schalten mit einer extrem niedrigen elektrischen Gate-/Ausgangsladung. Die Transistoren sind in kompakten PQFN-Gehäusen untergebracht, die das Wärmemanagement verbessern und eine beidseitige Kühlung unterstützen, was einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Funktionen machen CoolGaN G3-Transistoren zu einer der besten Wahl für Applikationen, wie z. B. Telekommunikation, Netzteile für Rechenzentren und industrielle Leistungssysteme.

Merkmale

Extrem schnelles Schalten und Hoher Wirkungsgrad
Platzsparendes und äußerst robustes Gehäuse
Keine Sperrverzögerungsladung
Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Freiliegende Gussform für Wärmeleistung auf der Oberseite

Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
Industrietaugliches 3 mm x 5 mm PG-TSON-6 Gehäuse
Vollständig nach JEDEC für Industrieapplikationen qualifiziert
Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform

Applikationen

Batteriebetriebene Elektrowerkzeuge
E-Mobilität und UAVs
Robotik und Drohnen
Solar- und Energiespeichersysteme

Telekommunikation und Rechenzentren
Stromsparende SMPS
Synchrone Gleichrichtung für AC/DC- und DC/DC-Wandler

Technische Daten

Maximale ununterbrochene Drain-Quellenspannung: 60 V, 80 V, 100 V oder 120 V
Maximaler Leistungsverlust: 45 W
±6,5 V Maximale gepulste gate-source-Spannung
-4.0 V bis 5,5 V Gate-Source-Spannungsbereich
1,2 V bis 2,9 V Gate-Schwellenspannungsbereich
0,5 Ω Typischer Gate-Widerstand
1,9 mΩ bis 3,7 mΩ maximaler Drain-Source-on-StripState-Widerstandsbereich
Kapazität
- 1.100 pF bis 1.700 pF maximaler Eingangsbereich
- Maximaler Ausgangsbereich: 550 pF bis 770 pF
- Maximaler Rückwärtsübertragungsbereich: 6,4 pF bis 22 pF
Typische Gate-Ladung
- Gate-Source-Ladungsbereich: 2,7 nC bis 4,0 nC
- Gate-Ladung im Schwellenbereich: 2,9 nC bis 2,0 nC
- Gate-zu-Drain-Ladebereich: 2,3 nC bis 3,6 nC
- Schaltladebereich: 3,0 nC bis 4,7 nC
- Gate-Ladungs-Gesamtbereich: 10 nC bis 13 nC
- Gate-Plateau-Spannungsbereich: 2,7 V bis 2,8 V
- Ausgangsladungsbereich: 37 nC bis 49 nC

Umkehrbetrieb
- Maximaler Gleichstromsperrbereich: 15 A bis 16 A
- Maximaler umgepulster Strombereich: 284 A bis 396 A
- Maximale Quelle-Drain-Spannung: 3,4 V
- Sperrverzögerungsladung: 0 nC (typisch)
Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
Thermischer Widerstand
- 0,6 °C/W max. Sperrschicht-zu-Gehäuse-Oberseite
- 2,8 °C/W max. Sperrschicht-zu-Gehäuse-Unterseite
- 60 °C/W typ. Sperrschicht-zu-Umgebung 1s0p
- 38 °C/W typ. Sperrschicht-zu-Umgebung 2s2p