Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module
EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module von Infineon Technologies zeichnen sich durch die PressFIT-Kontakttechnologie und einen integrierten NTC-Temperatursensor (Negativer Temperaturkoeffizient, NTC). Diese Module arbeiten mit einer Drain-Source-Spannung von 1.200 V und zeichnen sich durch ein Design mit niedriger Induktivität, geringe Schaltverluste und eine hohe Stromdichte aus. Die EasyPACK™-Module bieten dank integrierter Montageklemmen eine robuste Montage und sind in einem CTI >600 untergebracht. Applikationen sind unter anderem Hochfrequenzschaltgeräte, DC/DC-Wandler und DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge. Mit der Baureihe Easy 2C optimiert Infineon Hochleistungsdesigns durch den Einsatz der SiC G2-Technologie und fortschrittlicherXT-Funktionen. DieDie XT-Technologie bietet erhöhte Robustheit und einen erweiterten Betriebstemperaturbereich, während die SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation eine verbesserte Gate-Oxid-Zuverlässigkeit und einen reduzierten Einschaltwiderstand gewährleistet.
Mit der Easy 2C Baureihe optimiert Infineon Hochleistungs-Designs durch den Einsatz der SiC G2- Technologie und fortschrittlicher Funktionen.XT-Funktionen, die ein außergewöhnliches Betriebsverhalten für anspruchsvolle Applikationen bieten. DieXT Technologie bietet eine erhöhte Robustheit und einen erweiterten Betriebstemperaturbereich, während die SiC -MOSFET- Technologie der zweiten Generation eine verbesserte Zuverlässigkeit des GATE -Oxids und einen reduzierten Einschaltwiderstand bietet.
Merkmale
- SiC-G2-MOSFET-Technologie der zweiten Generation mit verbesserter Gateoxid-Zuverlässigkeit
- Easy 2C™-Gehäuse,
- Verbessert.XT-Technologie für erweiterten Temperaturbetrieb und überlegene Robustheit
- Extrem geringe Schaltverluste ermöglichen den Hochfrequenzbetrieb bis in den MHz-Bereich
- VDSS-Nennleistung von 1.200 V mit außergewöhnlicher Strombelastbarkeit
- Fortschrittliche thermische Schnittstelle mit integriertem NTC-Temperatursensor und optimiertem Grundplatten-Design
- Gehäusedesign mit niedriger Induktanz zur Reduzierung von parasitären Effekten und elektromagnetischen Störungen
- PressFIT-Kontakttechnologie für zuverlässige, lötfreie Verbindungen
- Integrierte Montageklemmen sorgen für eine robuste mechanische Montage
- CTI >600-Gehäuse für verbesserte Luft- und Kriechstrecken
- Hochstrom-Pin-Konfiguration, optimiert für Leistungsapplikationen
- Große sichere Betriebszone (Wide Safe Operating Area, SOA), die Designflexibilität und Fehlertoleranz bietet
- Qualifiziert nach Industriestandards gemäß IEC 60747, 60749 und 60068 Prüfprotokollen
Applikationen
- Hochfrequenzschaltgeräte
- DC/DC-Wandler
- DC Ladegeräte Elektrofahrzeuge
Videos
Schaltpläne
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Veröffentlichungsdatum: 2025-09-30
| Aktualisiert: 2026-02-17