Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Der MOSFET BUK6Q8R2-30PJ von Nexperia ist ein 30-V-P-Kanal-Enhancement-Mode-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötstelleninspektion. Der MOSFET der Baureihe BUK6Q8R2-30PJ wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint) angeboten. Dieser MOSFET ist nach AEC-Q101 qualifiziert und für Fahrzeuganwendungen geeignet. Der MOSFET BUK6Q8R2-30PJ ist ideal für den Verpolungsschutz, für Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.
Merkmale
- Logikpegel-kompatibel
- Trench-MOSFET-Technologie
- Seitlich benetzbare Flanken zur optischen Lötstelleninspektion
- Drain-Source-Spannung (VDS) von -30 V bei 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
- Typische Gesamtverlustleistung von 94 W bei Tmb= 25 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
- Thermisch effizientes Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint)
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Verpolungsschutz
- Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber
- High-Side-Lastschalter
- Relaistreiber
Abmessungen
P-KANAL-MOSFETS
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
P-Kanal FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-30
| Aktualisiert: 2025-08-27