onsemi FGH4L50T65SQD 650 V 50 A Hochgeschwindigkeits-IGBT
Der Onsemi FGH4L50T65SQD 650 V-50 A Hochgeschwindigkeits-IGBT verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie in dieser Baureihe von IGBTs der 4. Generation. Diese Bauteile bieten die optimale Leistung für Solarwechselrichter-, USV-, Schweiß-, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Applikationen. Der FGH4L50T65SQD von onsemi eignet sich hervorragend, wenn niedrige Leitungs- und Schaltverluste unerlässlich sind.
Merkmale
- Die maximale Sperrschichttemperatur (TJ) beträgt 175 °C
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Niedrige Sättigungsspannung (VCE (Sat)) von 1,6 V (Typ.) bei IC = 50 A
- 100 % der Teile sind auf ILM getestet
- Hohe Eingangsimpedanz
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Enge Parameterverteilung
- Dieses Bauteil ist bleifrei und RoHs-konform
Applikationen
- Solarwechselrichter
- UPS
- Schweißgerät
- Telecom
- ESS
- PFC
Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2023-10-05
| Aktualisiert: 2023-10-13