onsemi FGHL50T65SQ FS4-Hochgeschwindigkeits-IGBT
Der FGHL50T65SQ FS4-Hochgeschwindigkeits-IGBT von onsemi ist ein Einzel-IGBT, der die neue Field-Stop-Technologie der 4. Generation nutzt. Dieser IGBT verfügt über eine hohe Strombelastbarkeit, eine niedrige Sättigungsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz und ein schnelles Schalten. Der FGHL50T65SQ IGBT bietet eine gute Leistung und einen hohen Wirkungsgrad mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten. Dieser IGBT wird in einer 650-V-Kollektor-zu-Emitter-Spannung und einem 50-A-Kollektorstrom betrieben und ist in einem TO-247-3L-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Blindleistungskompensation (PFC), Solarwechselrichter, USV, elektronisches Schaltsystem (ESS), Schweißgerät und Telekommunikation.
Merkmale
- Nutzt die Field-Stop-Technologie der 4. Generation
- Geringe Leitungsverluste
- Niedrige Schaltverluste
- Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Hohe Eingangsimpedanz
- Strikte Parameterverteilung
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- RoHS-konform
Applikationen
- PFC
- Solarwechselrichter
- Schweißgerät
- USV
- Telekommunikation
- Elektronisches Schaltsystem (ESS)
Technische Daten
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES) von 650 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES) von ±20 V
- 200 A Kollektorstrom (IC) bei TC = 25 °C (max.)
- 268 W Verlustleistung (PD) bei TC = 25 °C (max.)
- Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) von 1,6 V bei IC = 50 A (typisch)
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
- TO-247-3L-Gehäuse
Ressourcen
FGHL50T65SQ Leistungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2019-03-04
| Aktualisiert: 2024-01-18