onsemi NTH4L020N090SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET
Der onsemi NTH4L020N090SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe aus, um eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen des Systems gehören beispielsweise der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine verringerte EMI und eine reduzierte Systemgröße.
Merkmale
- Typ. RDS (on) = 20 mΩ bei VGS = 15 V
- Typ. RDS (on) = 16 mΩ bei VGS = 18 V
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 196 nC)
- Ausgangskapazität mit niedrigem Wirkungsgrad (Coss = 296 pF)
- 100 % UIS-getestet
- Dieses Bauteil ist halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme von 7a, bleifrei 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- USV
- DC/DC-Wandler
- Verstärkender Wechselrichter
Applikations-Schaltung
Verwandte Produkte
onsemi 900-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs
Liefern eine bessere Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit gegenüber Silizium-basierten Bauteilen.
Zugehörige Lösungen
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-10
| Aktualisiert: 2024-06-19