onsemi NVTFS010N10MCL 53-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 100 V
Der NVTFS010N10MCL 53-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 100 V ist für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Dieses n-Einkanal-Bauteil bietet einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NVTFS010N10MCL Leistungs-MOSFET wird für ein kompaktes Design in einem 8-Pin-WDFN-Gehäuse mit kleinem Footprint angeboten und ist wahlweise mit benetzbaren Flanken oder einer verbesserten optischen Inspektion verfügbar.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
- Drain-Quellspannung (VDSS ): 100 V
- Maximaler Dauersenkenstrom (ID ): 57,8 A
- Niedrige Drain-Quellspannung (RDS(on))
- 10,6 mΩ bei 10 V
- 15,9 mΩ bei 4,5 V
- Niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG(TOT))
- 10 nC bei VGS = 4,5 V, VDS = 50 V; ID = 15 A
- 22 nC bei VGS = 10 V, VDS = 50 V; ID = 15 A
- Eingangskapazität (CISS): 1.530 pF
- Ausgangskapazität (COSS): 625 pF
- Rückwirkungskapazität (CRSS): 10 pF
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +175 °C
- Gehäuseausführung: WDFN-8
- Gehäuseabmessungen: 3,3 mm x 3,3 mm
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Magnet-Treiber: ABS, Kraftstoffeinspritzung
- Motorsteuerung: EPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw.
- Lastschalter: ECU, Fahrgestell, Karosserie
- Schaltnetzteile
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2019-09-06
| Aktualisiert: 2024-02-09