Qorvo QPA2309 C-Band-GaN-Leistungsverstärker mit 100 W
Der Qorvo QPA2309 100-W-C-Band-GaN-Leistungsverstärker (Galliumnitrid) wird von 5 GHz bis 6 GHz betrieben und bietet einen hohen Leistungswirkungsgrad (PAE) von 52 %. Dieses Bauteil verfügt über eine Drain-Spannung von 50 V, einen Ruhe-Drainstrom von 600 mA und bietet eine Leistungsverstärkung von bis zu 22 dB. Der QPA2309 ist intern abgestimmt und erfordert keine zusätzlichen externen HF-Komponenten, wodurch Designer und Systemintegratoren das Design durch Reduzierung der Größe und des Gewichts bei gleichzeitiger Verbesserung der Leistung maximieren können.
Basierend auf dem patentierten QGaN25HV Wafer-Prozess von Qorvo wird der QPA2309 in einem kompakten QFN-Gehäuse von 7,0 mm x 7,0 mm angeboten. Das integrierte Gehäusedesign mit Surface-Mount-Technology (SMT) ermöglicht Designern die Herstellung zu niedrigeren Kosten im Vergleich zu den Chip- oder Bolzen-Flansch-Gehäusealternativen.
Merkmale
- Frequenzbereich: 5 GHz bis 6 GHz (C-Band)
- Leistungsverstärkender Wirkungsgrad (PAE): 52 %
- Ausgangsleistung bei Sättigung (PSAT): 100 W
- Leistungsverstärkung: 22 dB
- Drainspannung (Vd): 50 V
- 600 mA Ruhe-Drainstrom (IDQ)
- QFN24-Gehäuse von 7,0 mm x 7,0 mm x 0,82 mm
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Elektronische Kriegsführung
- Radar
Pressemitteilungen
Development Tools
Qorvo QPA2309EVB Evaluierungsboard
Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPA2309 100-W-C-Band-GaN-Leistungsverstärker.
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Veröffentlichungsdatum: 2021-04-22
| Aktualisiert: 2022-03-11