Qorvo QPD2060D 600 µm Diskreter GaAs pHEMT
Der QPD2060D 600 µm diskreter GaAs-pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) von Qorvo verfügt über eine DC-Betriebsfrequenz von 20 GHz. Der QPD2060D liefert typischerweise eine Ausgangsleistung von 28 dBm bei P1 dB mit einer Verstärkung von 12 dB und einem Wirkungsgrad von 55 % bei 1 dB Kompression. Dank dieser Leistung eignet sich der QPD2060D für hocheffiziente Anwendungen.
Der QPD2060D ist mit einem 0,25-µm-Leistungs-pHEMT-Produktionsprozess ausgelegt. Dieser Prozess verfügt über fortschrittliche Techniken zur Optimierung der Mikrowellenleistung und des Wirkungsgrads bei hohen Drain-Bias-Betriebsbedingungen.
Der QPD2060D GaAs-pHEMT von Qorvo wird in einem 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm großen unbestückten Chip angeboten. Das Gerät ist mit einer Schutzschicht aus Siliziumnitrid versehen, die eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und einen hohen Kratzschutz bietet.
Merkmale
- Frequenzbereich: DC bis 20 GHz
- 28 dBm typische Ausgangsleistung P1 dB
- 12 dB typische Verstärkung bei 12 GHz
- 55 % Typische PAE bei 12 GHz
- 1,4 dB typischer Rauschfaktor bei 12 GHz
- 8-V-Drain-Spannung
- 97 mA Drainstrom
- 0,25 µm GaAs pHEMT-Technologie
- 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm unbestückter Chip
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Kommunikation
- Radar
- Punkt-zu-Punkt-Funk
- Satellitenkommunikationssysteme
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