ROHM Semiconductor R6049YN n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Die R6049YN n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine Hochgeschwindigkeitsschaltung und niedrige Einschaltwiderstände für Schaltapplikationen. Diese Einkanal-Anreicherungstyp-Bauteile werden in einem Temperaturbereich von -55 ° °C bis +150 ° °C betrieben und haben eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 600 V, einen Dauersenkenstrom von ± 22 A oder ± 49 A und eine Gate-Gesamtladung von 65 nC. Die R6049YN n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM sind in TO-220AB-3-, TO-220FM-3- und TO-247G-3-Gehäuseoptionen erhältlich.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Antriebsschaltungen können einfach sein
- Si-Technologie
- Erweiterungskanalmodus
- Durchsteckmontage
- Halogenfreie Formmasse
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 600 V
- Dauersenkenstrom: ±22 A oder ±49 A
- Gepulster Drainstrom: ±147 A
- On-Drain-Source-Widerstand: 82 mΩ
- Gate-Source-Spannung: ±30 V
- Gate-Source-Schwellenspannungsbereich: 4 V bis 6 V
- Drainstrom ohne Gate-Spannung: 100 μA (max.)
- Gate-Source-Ableitstrom: ±100 nA (max.)
- Quellstrom: 49 A (max.)
- Source-Drain-Spannung: 1,5 V (max.)
- Gate-Widerstand: 1,0 Ω (typisch)
- Sperrverzögerungsladung: 6,5 μC (typisch)
- Spitzensperrverzögerungsstrom: 34 A (typisch)
- Typische Gate-Ladung
- 65 nC insgesamt
- 21 nC Quelle
- 30 nC Drain
- Gate-Plateau-Spannung: 7 V (typisch)
- Verlustleistung: 90 W oder 448 W
- Typische Kapazität
- 2940 pF Eingang
- 100 pF Ausgang
- Effektiver Ausgang
- 100 pF energiebezogen
- 650 pF zeitbezogen
- Einzelimpuls-Avalanche
- 2,8 A Strom
- 208 mJ Energie
- Typische Zeit
- 38 ns Einschaltverzögerung
- 33 ns
- 91 ns Ausschaltverzögerung
- 19 ns Abfall
- 380 ns Sperrverzögerung
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- TO-220AB-3-, TO-220FM-3- und TO-247G-3-Gehäuse-Optionen
Innere Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2023-09-12
| Aktualisiert: 2023-10-04