ROHM Semiconductor R8009KNX n-Kanal 800 V 9-A-Leistungs-MOSFET
Der R8009KNX 800-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 9 A von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Der R8009KNX verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs werden parallel verwendet, was einfach zu handhaben ist.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Die parallele Nutzung ist einfach
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
Applikationen
- Schaltung
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Veröffentlichungsdatum: 2022-02-08
| Aktualisiert: 2022-03-11