Vishay / Siliconix SQW61N65EF Automotive-Leistungs-MOSFET der E-Baureihe

Der Vishay/Siliconix SQW61N65EF Automotive-Leistungs-MOSFET der E-Baureihe ist ein schneller n-Einkanal-Bodydioden-MOSFET mit Automobilstandard-E-Baureihen-Technologie. Der SQW61N65EF verfügt über eine reduzierte Sperrverzögerungzeit, eine Sperrverzögerungsladung und einen Sperrverzögerungsstrom. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über eine Gate-Ladung von 229 nC und einen Drain-Source-Einschaltwiderstand von 0,045 Ω, was zu einer extrem niedrigen Gütezahl (FOM) führt. Der AEC-Q101-qualifizierte SQW61N65EF bietet einen großen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C, wodurch er sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet. Der SQW61N65EF Automotive-Leistungs-MOSFET der E-Baureihe von Vishay/Siliconix wird in einem 3-Pin-TO-247AD-Gehäuse angeboten und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Merkmale

AEC-Q101-qualifiziert
Schneller Bodydioden-MOSFET mit Automobilstandard-E-Baureihen-Technologie
Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS) von 700 V bei T_J
Drain-Source-Spannung (V_DS) von 650 V bei 25 °C
Gate-Source-Spannung (V_GS): ±30 V
Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DS(on)): 0,045 Ω
Gate-Ladung (Q_g): 229 nC
Niedrige Gütezahl (FOM) (R_(DS)ON) x Q_g)
Reduzierte Sperrverzögerungszeit (t_rr): 204 ns

Sperrverzögerungsladung (Q_rr): 1,9 µC
Sperrverzögerungsstrom (I_RRM): 18 A
Niedrige Eingangskapazität (C_iss): 7.379 pF
Geringe Schaltverluste aufgrund einer reduzierten Sperrverzögerungsladung
Maximaler Leistungsverlust (P_D): 625 W
UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)
Betriebs-Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich (T_J, T_stg): -55 °C bis +175 °C
3-Pin-TO-247AD-Gehäuse
Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform