Toshiba CSLZ Zener-Dioden
Toshiba CSLZ Zener-Dioden sind in einem kleinen SL2-Gehäuse untergebracht. Die Dioden haben eine Verlustleistung PD1 von 150 mW und PD2 von 400 mW. Die Bauteile von Toshiba verfügen über eine Sperrschichttemperatur von TJ 150 °C und eine Lagertemperatur von TSTG -55 bis 150 °C.
Merkmale
- Verlustleistung
- PD1 150 mW
- PD2 400 mW
- Sperrschichttemperatur TJ 150 °C
- Lagertemperatur TSTG -55 bis 150 °C
- Applikationen, Überspannungsschutz
View Results ( 10 ) Page
| Teilnummer | Datenblatt | Vz - Zener-Spannung | Zz - Zener-Impedanz | Teststrom | Ir – Maximaler Sperrstrom |
|---|---|---|---|---|---|
| CSLZ24V,L3F |  |
24 V | 70 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ12V,L3F | |
12 V | 30 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ5V6,L3F | |
5.6 V | 30 Ohms | 5 mA | 1 uA |
| CSLZ10V,L3F | |
10 V | 30 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ20V,L3F | |
20 V | 50 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ30V,L3F | |
30 V | 150 Ohms | 2 mA | 500 nA |
| CSLZ8V2,L3F | |
8.2 V | 30 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ16V,L3F | |
16 V | 35 Ohms | 5 mA | 500 nA |
| CSLZ6V2,L3F | |
6.2 V | 30 Ohms | 5 mA | 2.5 uA |
| CSLZ6V8,L3F | |
6.8 V | 30 Ohms | 5 mA | 500 nA |
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-08
| Aktualisiert: 2024-07-25