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Toshiba TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV) zeichnen sich durch das Chip-Design der DTMOSIV- Generation aus und sind in verschiedenen Ausführungen verfügbar. Die Si-n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand und eine schnelle Sperrverzögerungszeit. Diese MOSFETs können die Gate-Schaltung einfach steuern. Die TK16x60W MOSFETs sind in verschiedenen Abmessungen verfügbar und in verschiedenen DFN8x8-, TO-247-, TO-3P(N)-, D2PAK-, TO-220- und TO-220SIS-Gehäusen untergebracht. Diese  TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs werden in Schaltspannungsreglern verwendet.

Merkmale

  • Niedriger Drain-Source-On-Widerstand: 0,16 Ω bis 0,196 Ω RDS(ON) 
  • Einfach zu steuernde Gate-Schaltung
  • Vth-Anreicherungsmodus: 2,7 V bis 4,5 V

Applikationshinweise

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Teilnummer Datenblatt Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung
TK16G60W5,RVQ TK16G60W5,RVQ Datenblatt 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5,LVQ Datenblatt 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX Datenblatt 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX Datenblatt 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC
TK16A60W,S4VX TK16A60W,S4VX Datenblatt
TK16J60W,S1VE TK16J60W,S1VE Datenblatt 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF Datenblatt 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16G60W,RVQ TK16G60W,RVQ Datenblatt 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5,S1VQ Datenblatt 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16J60W,S1VQ TK16J60W,S1VQ Datenblatt 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
Veröffentlichungsdatum: 2020-04-06 | Aktualisiert: 2024-11-11