Zurück zu Toshiba

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

Der Toshiba XPQR3004PB 40 V MOSFET hat einen RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch), eine Fähigkeit von 400 A und eine Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V. Weitere Funktionen umfassen eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C und einen maximalen Ableitstrom von 10 µA (VDS = 40 V). Der XPQR3004PB MOSFET von Toshiba wird in einem L-TOGL-Gehäuse angeboten, das eine thermische Impedanz von 0,2 °C/W und 750 W Verlustleistung bietet. Dieses Gerät ist AEC-Q101 zertifiziert und ideal für Fahrzeuganwendungen, Schaltspannungsregler, Motortreiber und DC/DC-Wandler.

Technische Daten

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • 400 A (DC) Drainstrom
  • 40 V Drain-Source-Spannung
  • Verlustleistung: 750 W
  • Niedriger Drain-Quellen-Einschaltwiderstand RDS(ON) = 0,23 mΩ (VGS = 10 V) (typisch)
  • Thermische Impedanz: 0,2° C/W
  • Maximaler Ableitstrom: 10 µA (VDS = 40 V)
  • Anreicherungsmodus: 2 V bis 3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Einzelimpuls-Avalanche-Energie: 624 mJ
  • 175 °C maximale Betriebstemperatur
  • -55 °C bis +175 °C Lagertemperaturbereich

Applikationen

  • Fahrzeug
  • Schaltspannungsregler
  • Motortreiber
  • DC/DC-Wandler

Videos

Schaltzeit-Testschaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

Gehäuse und interne Schaltung

Schaltungsanordnung - Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

Abmessungen (mm)

Technische Zeichnung - Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2023-02-01 | Aktualisiert: 2025-08-06