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Vishay SIR680LDP-T1-RE3 n-Kanal-MOSFET

Der Vishay SIR680LDP-T1-RE3 n-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET mit 80 V (D-S). Dieser n-Kanal-MOSFET verfügt über einen sehr niedrigen RDS – Qg-Gütefaktor (FOM) und ist für den niedrigsten RDS – Qoss-FOM abgestimmt. Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Primärseiten-Schalter, DC/DC-Wandler, Solar-Mikrowechselrichter, Motorantriebsschalter, Batterie, Lastschalter und Industrieapplikationen.

Merkmale

  • TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET
  • Sehr niedriger RDS – Qg FOM
  • Abgestimmt auf die niedrigste RDS-Qoss-FOM
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
  • Primärseitiger Schalter
  • DC/DC-Wandler
  • Solar-Mikrowechselrichter
  • Motorantriebsschalter
  • Batterie- und Lastschalter
  • Industrie

Technische Daten

  • 80 V VDS
  • 0,0028 Ω RDS(ON) max. bei VGS = 10 V 
  • 0,00355 Ω RDS(ON) max. bei VGS = 4,5 V
  • 40,5 nC Qg (typisch)
  • 130 A ID
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C

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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-17 | Aktualisiert: 2024-12-23