Vishay SiZ240DT 40-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S)
Der Vishay SiZ240DT 40-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S) verfügt über die TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET-Technologie mit integrierten High-Side- und Low-Side-MOSFETs in einem kompakten PowerPAIR®-Gehäuse von 3,3 mm2. Der SiZ240DT bietet einen erstklassigen Einschaltwiderstand und eine Einschaltwiderstandszeit-Gate-Ladung, die eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs darstellt, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden.
Beide TrenchFET-MOSFETs im SiZ240DT sind intern in einer Halbbrückenkonfiguration verbunden. Der Kanal-1-MOSFET im SiZ240DT, der typischerweise als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen Einschaltwiderstand von 8,05 mΩ bei 10 V bzw. 12,25 mW bei 4,5 V. Der Kanal-2-MOSFET, der typischerweise als Synchronschalter dient, hat einen Einschaltwiderstand von 8,41 mΩ bei 10 V bzw. 13,30 mΩ bei 4,5 V. In Verbindung mit der niedrigen Gate-Ladung von 6,9 nC (Kanal 1) bzw. 6,5 nC (Kanal 2) ergibt sich eine Einschaltwiderstandszeit-Gate-Ladung-FOM, die einen hohen Wirkungsgrad für Schnellschalt-Applikationen ermöglicht.
Der SiZ240DT verfügt über eine drahtlose interne Bauweise, welche die Parasitärinduktivität minimiert und hohe Schaltfrequenzen ermöglicht, wodurch die Größe von Magneten und endgültigen Designs reduziert wird. Sein optimiertes Gate-Drain-Ladungs(Qgd)- zu Gate-Source-Ladungs(Qgs)-Verhältnis reduziert das Rauschen, um die Schalteigenschaften des Bauteils weiter zu verbessern. Der SiZ240DT ist vollumfänglich Rg- und UIS-getestet, halogenfrei und RoHS-konform.
Merkmale
- TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFETs
- Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe
- 100 % Rg- und UIS-geprüft
- Optimiertes Qgd/Qgs-Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften
- Drain-Quellenspannung: 40 V/40 V
- Gate-Quellenspannung: +20 V/-16 V
- Gate-Ladung bei 4,5 V: 6,9 nc/6,5 nC
- Einschaltwiderstand bei 4,5 V: 12,25 mΩ/13,30 mΩ
- 27 A/27 A Dauersenkenstrom bei TC = 25 °C
- Gepulster Drainstrom von 100 A/100 A (100 μs Pulsbreite)
- Maximaler Leistungsverlust von 4,3 W bei TC = 25 °C
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
- PowerPair-3x3S-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm
- RoHS-konform, bleifrei und halogenfrei
Applikationen
- Synchroner Abwärtswandler
- Telekommunikations-DC/DC-Wandler
- Punktlast-Leistungsregelung
- Motorantriebssteuerung
Pin-Bezeichnungen und Schaltplan
Gehäuseabmessungen
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