Möglichen Ersatz vergleichen
Produktinfo. |
|||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Aktuelles Produkt | Erster Möglicher Ersatz | ||||||||||||||||||||||
| Bild: |
|
|
|||||||||||||||||||||
| Mouser-Teilenr.: | 747-IXFK250N10P | 747-IXFK420N10T | |||||||||||||||||||||
| Herst.-Teilenr.: | IXFK250N10P | IXFK420N10T | |||||||||||||||||||||
| Hersteller: | IXYS | IXYS | |||||||||||||||||||||
| Beschreibung: | MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET | MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A | |||||||||||||||||||||
| Lebenszyklus: | - | - | |||||||||||||||||||||
| Datenblatt: | IXFK250N10P Datenblatt | IXFK420N10T Datenblatt | |||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||
Technische Daten |
|||||||||||||||||||||||
| Marke: | IXYS | IXYS | |||||||||||||||||||||
| Kanalmodus: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||
| Konfiguration: | Single | Single | |||||||||||||||||||||
| Land der Bestückung: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||
| Land der Verbreitung: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||
| Ursprungsland: | KR | PH | |||||||||||||||||||||
| Abfallzeit: | 18 ns | 255 ns | |||||||||||||||||||||
| Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: | 50 S | 110 S | |||||||||||||||||||||
| Id - Drain-Gleichstrom: | 250 A | 420 A | |||||||||||||||||||||
| Hersteller: | IXYS | IXYS | |||||||||||||||||||||
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C | + 175 C | |||||||||||||||||||||
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||
| Montageart: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||
| Anzahl der Kanäle: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||
| Verpackung/Gehäuse: | TO-264-3 | TO-264-3 | |||||||||||||||||||||
| Verpackung: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||
| Pd - Verlustleistung: | 1.25 kW | 1.67 kW | |||||||||||||||||||||
| Produkt-Typ: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||
| Qg - Gate-Ladung: | 205 nC | 670 nC | |||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 6.5 mOhms | 2.6 mOhms | |||||||||||||||||||||
| Anstiegszeit: | 30 ns | 155 ns | |||||||||||||||||||||
| Serie: | IXFK250N10 | IXFK420N10 | |||||||||||||||||||||
| Standardpackungsmenge: | 25 | 25 | |||||||||||||||||||||
| Unterkategorie: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||
| Technologie: | Si | Si | |||||||||||||||||||||
| Handelsname: | HiPerFET | HiPerFET | |||||||||||||||||||||
| Transistorpolung: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||
| Transistorart: | 1 N-Channel | - | |||||||||||||||||||||
| Regelabschaltverzögerungszeit: | 50 ns | 115 ns | |||||||||||||||||||||
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 25 ns | 47 ns | |||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: | 100 V | 100 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: | 5 V | 5 V | |||||||||||||||||||||
Bestellinformation |
|||||||||||||||||||||||
| Lagerbestand: | 88 sofort lieferbar | 168 sofort lieferbar | |||||||||||||||||||||
| Auf Bestellung: |
0
|
0
|
|||||||||||||||||||||
| Lieferzeit ab Hersteller: | 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind. |
24
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
|
|||||||||||||||||||||
| Kaufen: |
|
|
|||||||||||||||||||||
| Preis: |
|
|
|||||||||||||||||||||