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F899MR07W1D7B11ABPSA1

Name: Infineon F899MR07W1D7B11ABPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F899MR07W1D7B11A
Price: 34.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-F899MR07W1D7B11A

Herst.- Nr.:

F899MR07W1D7B11ABPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFET-Module EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

F899MR07W1D7B11ABPSA1 Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	EasyPACK
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	119 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.45 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	20 mW
Serie:	EasyPACK 1B
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	DE
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	10 ns
Produkt:	Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	26 ns
Verpackung ab Werk:	24
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	CoolMOS
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	159 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.05 V
Artikel # Aliases:	F8-99MR07W1D7_B11/A SP005742275

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Datenblatt

F899MR07W1D7B11ABPSA1 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

EasyPACK™ 1B-IGBT-Leistungsmodule

Infineon Technologies EasyPACK™ 1 B IGBT Leistungsmodule sind ein skalierbares Leistungsmodul mit einem flexiblen Raster-Stiftsystem, das sich perfekt für die Anpassung des Layouts und der PinbelegungPinbelegung eignet. Die Gehäuse verfügen über keine Basisplatte, was den Einsatz in verschiedenen Applikationen ermöglicht. Die Infineon EasyPACK 1 B IGBT- Leistungsmodule decken den gesamten Leistungsbereich von 20 A bis 100 A bei 600V/650V/1200V in PIM- oder Six-Pack-Konfigurationen ab. Diese Module bieten einen Verlustleistungsbereich Bereich 135 W bis 275 W und arbeiten von -40°C bis +150°C oder +175°C.