2N51 Serie JFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Abschaltungsspannung Gate-Source
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
216Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 10 V - 90 mA - 15 mA 75 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 4 V - 25 mA - 15 mA 150 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 6 V - 60 mA - 15 mA 100 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk