CSD18510Q5B Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT
Datenblatt
8 558Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 153 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B
Datenblatt
355Auf Lager
500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 153 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel