CSD19538Q3A Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Texas Instruments MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
Datenblatt
7 494Auf Lager
14 578Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 360
: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
Datenblatt
5 250Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 15 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel