CSD25304W1015 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T
Datenblatt
2 635Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DSBGA-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 92 mOhms - 8 V, 8 V 1.15 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015
Datenblatt
422Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 92 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 3.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel