IXFH36N55 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 36 Amps 550V 0.16 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 550 V 36 A 160 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFETs 36 Amps 550V 0.16 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 550 V 36 A 180 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube