IXFR24N100 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 1KV 22A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 22 A 390 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HyperFET Tube