IXFT30N50 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 500V 30A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 30 Amps 500V 0.16 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 160 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HyperFET Tube