IXTP1N100 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
IXYS MOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds
Datenblatt
400Auf Lager
400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.2 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1.5 Amps 1000V 11 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube