IXTQ30N60 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube