EPAD MOSFETs

Ergebnisse: 20
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
34Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
32Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube