BIMOSFET IGBTs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
Datenblatt
262Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Datenblatt
3 219Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Datenblatt
2 747Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Datenblatt
281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Datenblatt
297Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Datenblatt
314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBX75N170 Tube
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube

IXYS IGBTs 1700V 16A
Datenblatt
1 189Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Datenblatt
155Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXBH6N170 Tube
IXYS IGBTs 1700V 16A
Datenblatt
239Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBT16N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
Datenblatt
214Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Datenblatt
301Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3.6 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 18 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Datenblatt
659Auf Lager
450Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube

IXYS IGBTs 1700V 75A
Datenblatt
661Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Datenblatt
277Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Datenblatt
445Auf Lager
540Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Planar Tube

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 55 A 300 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Datenblatt
231Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBH10N170 Tube
IXYS IGBTs 1700V 25A
Datenblatt
13Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 40 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 48 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube