501 JFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
726Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
Datenblatt
558Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 4 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 4 325
Mult.: 25

Si Bulk