IRF630

STMicroelectronics
511-IRF630
IRF630

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
9 A
400 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
31 nC
- 65 C
+ 150 C
75 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: CN
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: IRF630
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99