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STL66N3LLH5

Name: STMicroelectronics STL66N3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL66N3LLH5
Price: 1.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL66N3LLH5

Herst.- Nr.:

STL66N3LLH5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

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Datenblatt:

STL66N3LLH5 Datenblatt (PDF)

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.61 CHF	1.61 CHF
	1.03 CHF	10.30 CHF
	0.695 CHF	69.50 CHF
	0.552 CHF	276.00 CHF
	0.508 CHF	508.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.483 CHF	1 449.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5x6-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 22 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	4.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14.5 ns
Serie:	STL66N3LLH5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.3 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

STL66N3LLH5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

STMicroelectronics STripFET V Power MOSFETs

STripFET V™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Die fortschrittliche Planartechnologie eignet sich ideal für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad, der die Gütezahl (Figure of Merit, FoM) verbessert. Sie zeichnen sich durch Hochstrom- und niedrigen R_DS(on)-Eigenschaften aus, die für Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen erforderlich sind. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser Module eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.