CSD19538Q2 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
Datenblatt
29 450Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
Datenblatt
314Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
Datenblatt
327Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 490
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel