TrenchP MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
IXYS MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds 600Auf Lager
294Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 85 V 24 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds 7 160Auf Lager
2 350Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 185 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs TrenchP Power MOSFETs 1 317Auf Lager
400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 P-Channel 1 Channel 100 V 210 A 7.5 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 740 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs IXTA120P065T TRL 985Auf Lager
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 185 nC - 55 C + 150 C 289 W Enhancement TrenchP Reel, Cut Tape
IXYS MOSFETs TO263 150V 44A P-CH TRENCH 1 194Auf Lager
800erwartet ab 05.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 44 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 175 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds 1 221Auf Lager
250Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 76 A 25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 197 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube

IXYS MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds 1 237Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube

IXYS MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds 45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 50 V 140 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube

IXYS MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds 349Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 76 A 25 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 197 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds 361Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 50 V 140 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 200 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds 4 946Auf Lager
2 650Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 50 V 32 A 39 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Tube

IXYS MOSFETs TrenchP Power MOSFETs 354Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 P-Channel 1 Channel 200 V 120 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 740 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement TrenchP Tube

IXYS MOSFETs P-Channel: Standard MOSFET 143Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 210 A 7.5 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 740 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs TrenchP Power MOSFET 59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 P-Channel 1 Channel 200 V 120 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 740 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds 1 061Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 18 A 120 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds 391Auf Lager
350Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 85 V 24 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs TrenchP Power MOSFET 283Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 26 A 90 mOhms - 15 V, 15 V 4.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs IXTA32P05T TRL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 43 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 50 V 32 A 39 mOhms - 15 V, 15 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchP Reel
IXYS MOSFETs IXTA32P20T TRL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement TrenchP Reel, Cut Tape
IXYS MOSFETs IXTA48P05T TRL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 43 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 50 V 48 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement TrenchP Reel