.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics SiC-MOSFETs

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Ergebnisse: 68

Angewendete Filter:

Hersteller = STMicroelectronics

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Qualifikation

Alle zurücksetzen

Suche innerhalb der Ergebnisse

Auf Lager

Normalerweise auf Lager

Aktiv

Neue Produkte

RoHS-konform

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tabelle herunterladen (.CSV)

Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

SCT018HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 16.21 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018HU65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

Cut-Tape

16.21 CHF

12.99 CHF

12.19 CHF

Reel

10.35 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

82.5 nC

- 55 C

+ 175 C

388 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

SCT018W65G3AG
STMicroelectronics
600: 10.33 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018W65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018W65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

10.33 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

76 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16.49 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT019W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT019W120G3-4AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

16.49 CHF

13.74 CHF

13.57 CHF

11.91 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: 14.94 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT020H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT020H120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Cut-Tape

14.94 CHF

11.96 CHF

10.34 CHF

10.33 CHF

Reel

9.15 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: 10.67 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT025W120G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT025W120G3-4

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

10.67 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

SCT027TO65G3
STMicroelectronics
1 800: 6.87 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT027TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT027TO65G3

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

Reel

6.87 CHF

Min.: 1 800
Mult.: 1 800

Rolle: 1 800

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3
STMicroelectronics
600: 10.48 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W120G3

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen

10.48 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3-7
STMicroelectronics
1 000: 4.69 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT070H120G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT070H120G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

4.69 CHF

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: 8.86 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT070W120G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT070W120G3-4

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

8.86 CHF

5.29 CHF

4.80 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: 9.84 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT070W120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070W120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

9.84 CHF

8.02 CHF

6.69 CHF

5.56 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

SCTHCT250N12G3AG
STMicroelectronics
448: 46.30 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCTHCT250N12G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTHCT250N12G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

46.30 CHF

Min.: 448
Mult.: 448

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 mOhms

-10 V, 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
600: 16.20 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

Herst. Teilenr.
SCTWA90N65G2V

Mouser-Teilenr.
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

16.20 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A

SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics
600: 15.07 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT012HU90G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT012HU90G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen

Reel

15.07 CHF

Kostenvoranschlag

Min.: 600
Mult.: 600

Rolle: 600

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

SCT019H120G3AG
STMicroelectronics
1 000: 8.71 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT019H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT019H120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

8.71 CHF

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Rolle: 1 000

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT040H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 5.64 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

5.64 CHF

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Rolle: 1 000

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
600: 5.53 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040W65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

5.53 CHF

5.04 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT055H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 4.05 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT055H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT055H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

4.05 CHF

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Rolle: 1 000

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055H65G3AG
STMicroelectronics
1: 8.60 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT055H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055H65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Cut-Tape

8.60 CHF

5.96 CHF

4.95 CHF

Reel

4.63 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

AEC-Q100

STMicroelectronics SiC-MOSFETs

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W