501 SiC-MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263 1 207Auf Lager
800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial 3 481Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 638Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL 1 475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263 322Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247 536Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247 164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial 117Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 750V/10MOSICFETG4TOLL 2 000Ab Werk erhältlich
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 600
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.7 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23.4 A 150 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7 T&R, Industrial Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 350 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs UJ4SC075010L8S Nicht auf Lager

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
WeEn Semiconductors WNSC2M150120B7-A6J
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 5 600
Mult.: 800
: 800

WeEn Semiconductors WNSC2M150120R-A6Q
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 240

WeEn Semiconductors WNSC2M150120TB6J
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

WeEn Semiconductors WNSC2M150120W-A6Q
WeEn Semiconductors SiC-MOSFETs WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 480
Mult.: 240