SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname


Coherent SiC-MOSFETs 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Datenblatt
210Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO24
Datenblatt
663Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Datenblatt
523Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Datenblatt
583Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datenblatt
1 816Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
746Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
776Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Datenblatt
990Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
1 225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datenblatt
389Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
1 492Auf Lager
1 800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
486Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
1 330Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
Datenblatt
2 010Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
Datenblatt
2 008Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
1 285Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247
Datenblatt
3 299Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
3 914Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247
Datenblatt
1 281Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
1 920Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Datenblatt
1 145Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Datenblatt
499Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
425Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Datenblatt
671Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement