DRAM

 DRAM
DRAM von branchenführenden Herstellern sind bei Mouser Electronics erhältlich. Mouser ist ein autorisierter Distributor für viele verschiedene Hersteller von DRAM einschließlich Alliance Memory, ISSI, & Lattice. Sehen Sie unten unsere große Auswahl an DRAM.
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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies S70KL1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHB030
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB030
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 338
Mult.: 338

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray