NAND-Flash

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Innodisk DECFA-16GD09BW1DC
Innodisk NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Innodisk DECFA-C12D08BCBQC
Innodisk NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Kioxia America NAND-Flash SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Produkt-Kommentare
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SMD/SMT TFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD5F1GM7REB2GY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM7REBJGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM7REWIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F1GM7REWIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 5 700
Mult.: 5 700
SMD/SMT WSON-8 Tray
GigaDevice GD5F1GM7REWJGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM7REY2GR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM7REYIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT WSON-8 Tray
GigaDevice GD5F1GM7REYJGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM7UEB2GY
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM7UEBJGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM7UEWIGY
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Min.: 5 700
Mult.: 5 700
WSON-8 Tray
GigaDevice GD5F1GM7UEWJGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM7UEY2GR
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM7UEYIGY
GigaDevice NAND-Flash
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Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT WSON-8 Tray
GigaDevice GD5F1GM7UEYJGR
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
GigaDevice GD5F1GM9REBJGY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9REWJGR
GigaDevice NAND-Flash
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9REYJGR
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEBJGY
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Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9UEWJGR
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Min.: 3 000
Mult.: 3 000
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Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEYJGR
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
GigaDevice GD5F1GQ5REY2GR
GigaDevice NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel