CY14B116 Serie NVRAM

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Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
341Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP25XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-54 CY14B116 Reel
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP45XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-54 CY14B116 Reel
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 080
Mult.: 1 080

TSOP-II-54 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-165 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ25XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

FBGA-165 CY14B116 Reel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Reel