GS84036CGT Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
39Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 135 mA, 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 155 mA, 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray