SRAM

 SRAM
SRAM von branchenführenden Herstellern sind bei Mouser Electronics erhältlich. Mouser ist ein autorisierter Distributor für viele verschiedene Hersteller von SRAM einschließlich Alliance Memory, Cypress, ISSI, Microchip, & viele mehr. Sehen Sie unten unsere große Auswahl an SRAM.
Ergebnisse: 11 815
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
ISSI SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 69

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 5V, 44pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 5V, 44pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tape & Reel
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
4 Mbit 128 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

16 Mbit 2 M x 8 10 ns 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

256 Mbit 32 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 35

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C 945Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 13

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 13

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 36
Mult.: 36
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 260 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray