Neu IGBT-Module

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1200V Trench Field-Stop IGBT are made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses. This field-stop IGBT delivers reliable switching where other components fall short, minimizing losses while maintaining thermal performance. The MIS80N120NT1YHE3 IGBT is AEC-Q101 qualified and features low switching losses, excellent thermal performance, high thermal stability, and powerful short-circuit protection. This 1200V trench IGBT is housed in a super TO-220 package (TO-273AA) with a junction-to-case thermal resistance of 0.17K/W that ensures effective heat dissipation. The MIS80N120NT1YHE3 1200V IGBT is suitable for automotive applications, including PTC heaters, solid-state relays, electric drive systems, renewable energy systems, and industrial motor drives.
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Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBTMade for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.28.11.2024 -
onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule1.200 V, 800 A eingestuftes Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul, ideal für Motor-/Servo-/Solarantriebe und USV.26.08.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging SolutionsSupports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.01.08.2024 -
Infineon Technologies EasyPACK™ 2B-IGBT-LeistungsmoduleSkalierbare Leistungsmodullösung mit flexiblem Pin-Systemraster perfekt für die Anpassung des Layouts/Pinbelegung.31.07.2024 -
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 ModuleKompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.18.06.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) MIF400R065C2TL 650V/400A IGBT ModuleTwo-in-one module that combines dual IGBT devices and rugged performance in a C2 package.14.05.2024 -
onsemi NVH950S75L4SPx IGBT-LeistungsmoduleLeistungsstarke einseitige Dreiphasen-6-Pack-Automotive-Module mit direkter Kühlung und 750 V sowie 950 A.11.03.2024 -
onsemi NVH660S75L4SPFx 6-Pack-IGBT-ModuleEinseitige Kühlmodule mit flacher Grundplatte für einen implementierten Strom von 750 V und 660 A für Fahrzeuganwendungen.11.03.2024 -
onsemi NVH640S75L4SPx IGBT-ModuleEinseitige Automotive-Field-Stop-4(FS4)-6-Pack-Leistungsmodule von 750 V, 640 A mit direkter Kühlung.11.03.2024 -
Infineon Technologies XBee™ 2- und 3-IGBT-ModuleKonzipiert für Applikationen mit hohem Leistungsbedarf, von 1,7 kV bis 6,5 kV.19.01.2024 -
Littelfuse 1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit SchalldiodenEntwickelt mit XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und Trench-IGBT-Verfahren mit antiparallelen Schalldioden.18.10.2023 -
Vishay Halbbrücken-IGBTsVerfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Nennströme von 100 A, 150 A und 200 A.10.07.2023 -
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 62 mm IGBT4-Module der C-BaureiheAuf eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit für verschiedene Leistungsapplikationen ausgelegt.29.06.2023 -
onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G und Q0PACK LeistungsmoduleJedes Bauteil enthält eine am Neutralpunkt geklemmte (NPC) Drei-Ebenen-Wechselrichterstufe des T−Typs.08.04.2023 -
onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si-/SiC-HybridmoduleEnthält ein 1.200-V-Dreikanal-IGBT- und SiC-Aufwärtsmodul und einen NTC-Thermistor.08.04.2023 -
Infineon Technologies EasyPACK™ 1B-IGBT-LeistungsmoduleSkalierbares Leistungsmodul Lösung mit flexiblem Pin-System-Raster perfekt für die Anpassung des Layouts/Pinbelegung.28.02.2023 -
Infineon Technologies Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für RechenzentrenEine skalierbare Lösung mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW.07.02.2023 -
onsemi NXH800A100L4Q2F2xxG 3-Level-ANPC-Q2Pack-ModuleVerfügen über niedrige Schaltverluste zur Reduzierung der Systemverlustleistung und ein niedriges induktives Layout.10.01.2023 -
onsemi NXH600B100H4Q2F2SG Si-/SiC-HybridmodulEin symmetrisches Dreikanal-Aufwärts-Si-/SiC-Hybridmodul.10.01.2023 -
onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-HybridmodulDreikanal-Si-/SiC-Hybrid-Aufwärtsmodul mit fliegendem Kondensator.10.01.2023 -
Infineon Technologies 1200 V IGBT-Module mit gemeinsamem EmitterKombiniert einen gemeinsamen 600 A oder 800 A Emitter & ein schnelles Trench-IGBT-Modul mit einer emittergesteuerten Diode.05.01.2023 -
Infineon Technologies FF1800R23IE7 PrimePACK™3+ Module der Baureihe BVerfügen über die TRENCHSTOP™-IGBT7-Technologie.22.11.2022 -
Infineon Technologies FS75R17W2E4P_B11 EasyPACK™-ModulVerfügt über einen Trench-/Fieldstop-IGBT4 und vier Emitter-gesteuerte Dioden mit PressFIT/NTC/TIM.26.10.2022 -
Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-KonfigurationsmoduleBasieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet.03.10.2022 -
Vishay EMIPAK PressFit-LeistungsmoduleFür eine zuverlässige Leistungsfähigkeit in robusten Applikationen von 15 A bis 150 A ausgelegt.26.09.2022 -
