STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor
SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind 650-V-25-A-Transistoren kombiniert mit etablierter Packaging-Technologie. Der SGT65R65AL von STMicroelectronics umfasst ein G-HEMT-Bauteil, das extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen extrem schnellen Schaltbetrieb bietet. Mit dem Bauteil lassen sich eine hohe Leistungsdichte und ein unschlagbarer Wirkungsgrad erzielen.
Merkmale
- Verbesserungsmodus Normal-Aus Transistor
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
- Extrem niedrige Kapazitäten
- Kelvin-Quellen-Pad für optimalen Gate-Antrieb
- Keine Sperrverzögerungsladung
Applikationen
- AC/DC-Wandler
- AC-DC PSU für Server und Telekommunikation
- LED-Beleuchtung
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Testschaltungen
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Veröffentlichungsdatum: 2023-03-07
| Aktualisiert: 2026-02-18