STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Modus PowerGaN-Transistoren
SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN-Transistoren von STMicroelectronics sind hochleistungsfähige Anreicherungsmodus-GaN-Bauteile (normalerweise ausgeschaltet), die entwickelt wurden, um außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Leitungsverluste und eine hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Leistungsumwandlungs-Applikationen zu ermöglichen. Diese Transistoren nutzen die vorteilhafte große Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Sperrverzögerungsladung von null zu erzielen, was einen überlegenen Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungsschaltern ermöglicht.
Die SGT-Transistoren von STMicroelectronics kombinieren fortschrittliche G‑HEMT-Strukturen mit robusten Packaging-Technologien, um eine hohe Strombelastbarkeit und ein extrem schnelles Schaltverhalten zu unterstützen und so eine verbesserte thermische Leistung und kompakte Systemdesigns zu fördern. Zu den wichtigsten Merkmalen gehören Kelvin-Source-Pads für eine optimierte Gate-Ansteuerung, eine hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit und eine starke ESD-Robustheit, wodurch sich diese Transistoren gut für AC-DC- und DC-DC-Wandler, Solarwechselrichter, Industrie-Netzteile und andere Systeme mit hohem Wirkungsgrad und hoher Frequenz eignen. Insgesamt bietet das E-Modus PowerGaN-Portfolio von ST Designern eine leistungsstarke Plattform für den Bau von Leistungselektronik der nächsten Generation mit höherem Wirkungsgrad, reduzierter Größe und verbessertem Betriebsverhalten.
Merkmale
- Erweiterungsmodus-Normal-Aus-Transistor zur Oberflächenmontage
- Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
- Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
- Extrem niedrige Kapazitäten
- Keine Sperrverzögerungsladung
- Einkanal-Konfiguration
- Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Ansteuerung (verschiedene Gehäuse-Ausführungen)
- ESD-Schutz
- RoHS-konform
Applikationen
- AC-DC-Wandler
- DC/DC-Wandler
- Solarwechselrichter
- Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
- USB Type-C® PD-Adapter und Schnellladegeräte
Technische Daten
- 1,8 V oder 2,5 V Gate-Source-Schwellenspannungs-Optionen
- 650 V oder 700 V Drain-Source-Durchschlagspannungs-Optionen
- 6 A bis 29 A Dauersenkenstrombereich
- 65 mΩ bis 350 mΩ Drain-Source-Widerstandsbereich
- 47 W bis 305 W Verlustleistungsbereich
- 1,5 nC bis 8,5 nC Gate-Ladungs-Bereich
- 3,5 ns bis 9 ns Anstiegszeitbereich
- 4 ns bis 9 ns Abfallzeitbereich
- 1,2 ns bis 7 ns typischer Abschaltverzögerungszeitbereich
- 0,9 ns bis 10 ns typischer Einschaltverzögerungszeitbereich
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- DPAK-3-, PowerFLAT-4-, PowerFLAT-8- und TO-LL-11-Gehäuseoptionen
Empfohlene Transistoren
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.
STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor
650-V-25-A-Transistoren kombiniert mit etablierter Packaging-Technologie
Vervollständigen Sie Ihr Design
STMicroelectronics Standardprodukte
Eine große Auswahl von Drop-in-Ersatzteilen für Universal-Analog-ICs, diskrete und serielle EEPROMs.
| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Pd - Verlustleistung | Qg - Gate-Ladung | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT070R70HTO |  |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT190R70ILB | |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |